開催日時

2026年10月29日（木）13:30-18:00

会場

豊田工業大学　豊田喜一郎記念ホール
（愛知県名古屋市天白区久方２－１２－１）

参加費

無料

交通アクセス

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※駐車場をご利用いただけます。
混雑時は臨時駐車場として、「グラウンド」に駐車いただきますのでご了承ください。

概要

＜センターの概要＞
　スマートエネルギー技術研究センターの研究活動は、研究センターホームページよりご確認いただけます。

＜招待講演１概要＞
「量子コンピュータの実現へ向けた極低温エレクトロニクス」　　内田　建　氏

量子コンピュータの大規模化には、極低温で動作する量子ビットと室温電子回路との間を接続する高性能な極低温CMOS（Cryo-CMOS）の実現が不可欠である。しかし、4 K付近では不純物凍結やホッピング伝導など、室温では現れない物理現象が顕在化し、デバイスおよび回路特性に大きな影響を及ぼす。本講演では、まず量子コンピュータにおけるCryo-CMOSの役割と要求性能を概説する。続いて、高濃度ドープSiにおけるホッピング伝導に起因した複素インピーダンスの発現、不純物イオン化遅延によるMOSデバイスの過渡応答、さらに可変範囲ホッピング（Variable-Range Hopping）に基づく極低温伝導モデルについて紹介する。これらの研究を通じて、極低温CMOSでは基板・ウェルの電気伝導や過渡応答、不純物のイオン化時定数などを従来モデルから見直す必要があることを示し、量子コンピュータ向け読み出し・制御回路の高精度設計に向けたデバイス物理の最新の取り組みを紹介する。

＜招待講演２概要＞
「AI時代を支えるフラッシュメモリの現状と展望」　　鬼頭　傑　氏

生成AIの急速な進化と社会実装の拡大に伴い、大容量・高速・低消費電力なフラッシュメモリへの要求が一層高まっています。本講演では、まずNAND型フラッシュメモリの基本的なセル構造と書込み・消去・読み出しの動作原理について概説し、その基礎的事項を整理します。次に、従来の2次元平面構造が微細化による高密度化の限界に直面したことを背景に、3次元化へと至った技術的経緯を振り返ります。特に、一括加工という考え方により、コスト増を抑えつつ積層による高密度化を実現してきた点に着目し、現在主流となっている3次元フラッシュメモリのプロセス技術を紹介します。さらに、今後のさらなる高密度化に向けて検討されている構造、製造プロセスに関する技術動向を取り上げ、次世代不揮発性メモリの展望について述べます。

当日プログラム・概要のダウンロードはこちら＞＞＞2026smart_enegy_program.pdf

参加申し込み

事前申し込みが必要です。
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なお、メールでもお申し込みいただけます。

申込締切

2026年10月23日（金）
※締切後のお申し込みをご希望の場合は、下記までお問い合わせください。

お問い合わせ

研究支援部研究協力グループ
TEL: (052)809-1723
E-MAIL: sympo(at)toyota-ti.ac.jp