| リソグラフィ | レジスト塗布およびベーキング |
レジスト塗布装置 |
レジストをサンプルにスピン塗布 |
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| 恒温槽 |
レジストのプリベーク、ポストベークなど |
| マスク露光 |
マスクアライナー |
マスクパターンをウェハに転写 |
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| 直接描画 |
電子線描画装置 |
電子線でフォトレジストに直接描画 |
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| マスクレス露光装置 |
レーザー光でフォトレジストに直接描画 |
| 洗浄および薬品処理（表面処理、エッチングなど） |
無機ドラフト |
シリコンプロセス用2台、化合物半導体用1台 |
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| 有機ドラフト |
シリコンプロセス用2台、化合物半導体用1台 |
| 超音波洗浄器 |
無機ドラフト内にて洗浄 |
| シリコン表面酸化 |
酸化炉 |
シリコンのプロセス用2台
パイロジェニック酸化、ドライ酸化に使用 |
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| 不純物熱拡散および合金化処理 |
拡散炉 |
リンデポ、拡散用各1台、合金化処理用1台 |
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| 薄膜の形成 | 蒸着 |
抵抗加熱蒸着装置 |
主にアルミニウムの真空蒸着 |
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| 電子ビーム加熱蒸着装置 |
SiO2やモリブデンなど、高融点物質の真空蒸着 |
| スパッタ |
マグネトロンスパッタ |
Cr,Ni,Cuなどを成膜（3源） |
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| CVD |
原子層堆積装置 |
化合物半導体基板にAl2O3、SiO2、SiNxなどの原子層を一層ずつ堆積 |
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| ドライエッチング |
RIE装置（反応性イオンエッチング） |
酸化膜やアモルファスシリコン膜などのドライエッチング |
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| 塩素系エッチング装置 |
BCl3、Cl2などのガスを用いて、化合物半導体薄膜をエッチング |
| 分割 | 各種の基板分割装置 |
ダイサー |
回転ホイールによる各種基板の分割 |
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| ダイヤモンドスクラバー |
ダイヤモンドペンによるスクラブ分割（主としてシリコン用） |
| 基板研磨 |
研磨機 |
主にGaAs基板を研磨 |
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| グルービングマシン |
シリコンウェハへの不純物拡散深さを測定 |
| 検査用機器 | 観察機器 |
顕微鏡 |
複数の金属顕微鏡と実態顕微鏡で写真を撮影 |
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| 寸法測定 |
デジタル測微計 |
平面X－Y寸法を測定 |
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| 比抵抗測定 |
比抵抗測定器 |
ウェハなどのシート抵抗測定や比抵抗を測定 |
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| 膜厚、屈折率 |
エリプソメータ |
酸化シリコン膜や窒化シリコン膜の膜厚や屈折率を測定 |
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| 特性測定 |
ライフタイム測定器 |
ウェハにレーザ光を当ててライフタイムを測定 |
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| 付帯施設その他 | 窒素ガス |
液体窒素蒸発器（固定式）、液体窒素の取り出しも可能 |
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| ガス除害 |
廃ガス除害装置 |
廃ガス（毒性ガス）の除害排気装置（屋外固定式） |
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| 洗浄水 |
超純水製造装置 |
超純水（18MΩ・cm以上）の製造（固定式） |
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| 洗浄廃水 |
廃水処理装置 |
洗浄廃水の中和凝集処理装置（固定式） |
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| ガス漏洩検知 |
ガス漏洩検知器 |
特殊材料ガスや環境（酸素、水素）ガスの検知 |
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