豊田工業大学

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設備案内

以下の装置をご利用いただけます。下記以外にも本学が保有する装置もご利用可能です。

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成膜

スパッタ(金属、絶縁体)蒸着装置

仕様 芝浦エレテックCFS-4ES
  • 平行平板型、ターゲット現有(Ti, Al, Ag, Pd, SiO2, Al2O3, SiN, Au)
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) 成果報告書 09-04

多機能薄膜作製装置

仕様 スパッタ(磁性材料)蒸着および分子線エピタキシー複合装置
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --

電子ビーム(金属)蒸着装置

仕様 エイコー社製
  • AlInGaAs, Si, Be-dopng, GaAs系
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) 成果報告書
10-28,11-36

分子線エピタキシー装置

仕様 エイコー社製
  • AlInGaAs, Si, Be-dopng, GaAs系
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) 成果報告書
10-28,11-36

原子層堆積装置

仕様 Ultratech/Cambridge Nano Tech, Fiji F200
  • 熱、オゾンおよびプラズマ酸化方式が選択可能
  • Al2O3, SiO2, SiNおよびAlNの成膜が可能
  • 小片から8インチφまでの成膜が可能
支援例、微細加工例 参考文献

抵抗加熱蒸着装置

仕様 ULVAC製VPC-260F型
  • 3種類の金属ソースを、真空を破らずに連続的に抵抗加熱で蒸着が可能
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --

洗浄・熱処理・不純物処理

洗浄ドラフト一式

仕様 シリコン専用および化合物半導体専用のドラフト群
  • 小型~太陽電池156mm角基板等
支援例、微細加工例 (1)アンモニア過水(APM)洗浄
(2)塩酸過水(HPM)洗浄
(3)希フッ酸(DHF)洗浄
(4)硫酸過水(SPM)洗浄
(5)FPM cleaning各種ウェットエッチング 等

シリコン専用の各種熱処理(酸化、拡散)装置一式

仕様 横型および縦型、酸化・拡散炉一式
  • シリコンウェハーの酸化および不純物拡散(リン およびボロン)
  • φ3インチまでのシリコン基板
支援例、微細加工例 酸化したSiマイクロ流路を利用したマイクロプラズマの点灯
酸化したSiマイクロ流路を利用したマイクロプラズマの点灯

イオン打ち込み装置

仕様 VARIAN 200CF4
  • max180kV, 中電流インプラ装置、ガスソースP, B
  • φ3インチまでのSi基板へのイオン打込みが可能
支援例、微細加工例 アモルファスSiにドーピングして作った振動子
アモルファスSiにドーピングして作った振動子

リソグラフィ

電子ビーム描画装置

仕様 クレステックCABL-8200TFE
  • Si、ガラス等各種基板
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) 成果報告書
09-07,11-06,11-33

マスクレス露光装置

仕様 (株)大日本科研 MX-1204
φ4インチにポジ型フォトレジスト(膜厚1μm以上)に、2μm幅のラインアンドスペースを全面(外周3mm除く)に描いたときに、描画時間が30分程度。露光パターン幅のバラツキが100nm(1σ)以下。
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --

マスクアライナ装置

仕様 ズース・マイクロテック MA6 裏面アライメント可能、共和理研K-359SDコーター、ベーキング、露光、現像装置一式
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) 成果報告書 08-01
レジストプロセスの解説

レジスト処理装置(アッシング)

仕様 特注(VICインターナショナル、VPA-100改造)材料制限は少ない(要相談)、φ4インチまで、UVキュア処理装置(自作)と合わせて使う。
支援例、微細加工例 UVキュアを用いて作ったレジスト膜の多段構造
UVキュアを用いて作ったレジスト膜の多段構造

エッチング・その他、後工程

Reactive Ion Etching 装置(非Boschプロセス)

仕様 サムコ RIE-10NR
  • CF4, O2, SF6を用いたレジストアッシングや、SiおよびSiO2、石英ガラス、窒化膜のエッチング
  • φ6インチまでのガラス及びシリコン基板に対応
支援例、微細加工例 エッチングで形成したマクロ流路
エッチングで形成したマクロ流路
成果報告書
10-30,10-31

Deep Reactive Ion Etching装置(Boschプロセス)

仕様 住友精密工業
Multiplex-ASE-SRE-SE
  • φ4インチ シリコン用(金属剥き出しサンプルは禁止)
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) 成果報告 11-15

気相フッ酸エッチング装置

仕様 自作(シリコンMEMS用の犠牲層SiO2エッチング)
  • φ3インチまで
支援例、微細加工例 基板から浮いた振動子構造
基板から浮いた振動子構造

イオンミリング装置

CIMG6043.JPG
仕様 日立IM-4-1
  • 加工材料:一般的な金属
  • 最大加工領域:3"基板
  • 加工速度の目安: 加速電圧600V 減速電圧200V 加速電流120mA 傾斜角-30° でアルミのエッチング速度2.4μm/h
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --

ダイシング装置

仕様 岡本工作ADM-6DBV
  • φ6インチ以下基板のダイシング加工
  • 被切断材質はシリコン、石英基板、サファイア等
支援例、微細加工例 様々なウエハのダイシング各種支援に使用
様々なウエハのダイシング各種支援に使用

計測・分析

走査型電子顕微鏡

仕様 日本電子、JSM-6510、電子線誘起電流(EBIC)計測付属
  • 分解能 4.0nm、加速電圧0.5~30kV
  • 試料:最大φ4インチ
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --

SEM_1.JPG

電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)(電子ビーム描画機能付属)

仕様 日本電子FESEM JSM6500Fに東京テクノロジーのBEAM DRAWを付加した電子線描画装置。最小描画線幅50nm
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --

ナノ物性測定用プローブ顕微鏡システム

IMG_4474.jpeg
仕様

ブルカー Multimode顕微鏡
・導電性(TUNA)
・表面電位、STM機能
・原子、分子分解能

支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --

デジタルマイクロスコープ群

仕様 Keyence VHX-600および、フリーアングル(斜め)低倍観察VH-5500など
  • 測微機能および3次元表示機能付きデジタルマイクロスコープ
  • 材料は不問
支援例、微細加工例 3次元的な形状・加工の評価
3次元的な形状・加工の評価

表面形状測定器(段差計)

仕様 KLA-Tencor社 アルファーステップ IQZ
  • 触針段差計、材料は不問
  • φ4インチ程度
支援例、微細加工例 半導体プロセス講習会資料

非接触3次元表面形状・粗さ測定機

仕様 Zygo社 NewView 7300 システム(含:フィルム、動的オプション)白色干渉計
  • 材料は不問
  • サイズと重量はステージに載れば良い
支援例、微細加工例 太鼓状マイクロミラー回転の様子
太鼓状マイクロミラー回転の様子

シート抵抗測定器

仕様 エヌピイエス社Σ-5+
  • 不純物拡散層および金属薄膜抵抗測定
  • 260mm幅のステージに載れば測定可能
  • 1.000mΩ/☐~5000.0KΩ/☐を約1sで測定
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) 成果報告書 11-03

ライフタイム測定装置

仕様 SEMILAB-SDI社 PV-2000A
  • QSS-u-pCD(Injection level毎のライフタイム測定)
  • Ultimate-SPV (ウェハー厚4倍までの拡散長測定)
  • ALID(高速光劣化測定)
  • 非接触CV測定
など
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) 成果報告書
08-19,08-25

偏光顕微鏡(青色レーザー照射可能)

仕様 ネオアーク製偏光顕微鏡(極Kerr、縦kerr効果)
  • 対物レンズ50X
  • レーザー波長405nm、直線偏光、円偏光切り替え可能
  • 磁区観察と同時にレーザー照射可能
  • 外部磁界垂直方向で最大15kOe、面内方向で最大3kOeなど
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --

走査型プローブ顕微鏡

仕様 SII-NT製SPA400
  • AFM, DFM, pA測定可能
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) 成果報告書 10-28

ラマン分光装置

仕様 レニショー inVia Reflex
  • マッピング可能(最少100nmステップ)
  • 試料サイズ mm~cm
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --

磁気光学効果測定装置

仕様 印加磁界 最大±2T
試料温度 室温~250度、室温~-77度
測定感度 10^-3度
波長範囲 260nm~800nm
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --

絶対PL量子収率測定装置

仕様 浜松ホトニクス社製 C9920-02G 
  • 測定波長範囲 300nm~950nm
  • 本学の既存の検出器と併用することにより、近紫外から赤外領域(300~1800nm)の範囲に渡る蛍光の計測および、300~950nmの範囲の絶対量子収率の計測が可能となる。
支援例、微細加工例(支援年度、支援番号) --